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由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()

  • A、4
  • B、8
  • C、16
  • D、32

参考答案

更多 “由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()A、4B、8C、16D、32” 相关考题
考题 下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是( )。A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B.SRAM的集成度比DRAM高C. DRAM的存取速度比SRAM快D.DRAM中存储的数据无须刷新

考题 下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

考题 下面关于随机存取存储器(RAM.的叙述中,正确的是A.静态RAM(SRAM.集成度低,但存取速度快且无须刷新B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用C.DRAM的存取速度比SRAM快D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

考题 下面关于随机存取存储器(RAM.的叙述中,正确的是A.RAM分静态RAM(SRAM.和动态RAM(DRAM.两大类B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.DRAM中存储的数据无须刷新

考题 ● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。(9)A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存

考题 下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是( )。A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用C.DRAM的存取速度比SRAM快D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,哪两个叙述是错误的?A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 PC机中,DRAM内存条的速度与类型有关,若按存取速度从低到高的顺序排列,正确的是A.SDRAM、RDRAM、EDO DRAMB.EDO DRAM、SDRAM、RDRAMC.EDO DRAM、RDRAM、SDRAMD.RDRAM、EDO DRAM、SDRAM

考题 下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高Ⅱ.SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

考题 为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAMB.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMC.SDRAM,EDO DRAM,RDRAMD.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM

考题 PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,错误的是( )。A.ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容会丢失B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般不会丢失C.由于SRAM的速度比DRAM快,因此,在PC中,SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D.DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路,SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路,因此,DRAM的集成度比SRAM的集成度高

考题 以下说法中错误的是()。A.与DRAM相比,SRAM的集成度低,存取速度快 B.PC机的主存储器常由DRAM构成 C.RAM需要刷新,且断电后信息会丢失 D.ROM是一种非易失性存储器,断电后仍可保持记忆

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。A.Ⅰ和Ⅱ B.Ⅱ和Ⅲ C.Ⅲ和Ⅳ D.Ⅰ和Ⅳ

考题 由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条,所需该存储芯片的片数为()。A、4片B、8片C、16片D、32片

考题 4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。

考题 SRAM比DRAM电路简单,集成度高,功耗低。

考题 内存条是dram内存,()是sram内存

考题 下列关于RAM的说法中,错误的是()A、DRAM芯片电路简单,集成度高,工耗小,成本低B、SRAM芯片电路复杂,集成度低,工耗大,成本高C、DRAM工作速度快,适合用作CacheD、无论是DRAM还是SRAM,当关机或断电时,其中的信息都将随之丢失

考题 主存储器在物理结构上由若干插在主板上的内存条组成。目前,内存条上的芯片一般选用DRAM而不采用SRAM。()

考题 单选题某容量为256M的存储器,由若干4M*8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是:()A 19B 22C 30D 36

考题 单选题由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()A 4B 8C 16D 32

考题 单选题由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条,所需该存储芯片的片数为()。A 4片B 8片C 16片D 32片

考题 填空题4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。

考题 判断题主存储器在物理结构上由若干插在主板上的内存条组成。目前,内存条上的芯片一般选用DRAM而不采用SRAM。()A 对B 错

考题 填空题内存条是dram内存,()是sram内存