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填空题
C28x包含两个单周期访问的存储器SARAM地址是0x000000H-0x0007FFH、()。

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考题 相联存储器是() A、按地址访问存储器B、按周期访问存储器C、按内容访问存储器D、按请求访问存储器

考题 双端口存储器与普通存储器的差异是() A、存储周期更短B、字长更宽C、有两个访问端口

考题 相联存储器的访问方式是______。A.先入先出访问B.按地址访问C.按内容访问D.先入后出访问

考题 下面是关于Pentium微处理器的存储器读写机器周期的叙述,其中错误的是A.非流水线式存储器读写机器周期至少需要包含2个时钟周期B.每一个读写机器周期在第一个时钟周期将存储器地址发送到地址总线上C.突发式存储器读写机器周期需要5个时钟周期D.若存储器读写速度较慢,突发式存储器读写机器周期可以在第一个时钟周期之后插入若干等待周期

考题 DSP处理器TMS320VC5402内部含有SARAM存储器。( ) 此题为判断题(对,错)。

考题 计算机对存储器的要求是速度快、容量大、价格低,主存储器是CPU按照地址进行随机读写的存储器,主存的特点是(3),主有的最大容量与主存的地址位数有关,64MB的主存,地址需要(4)位(二进制数)。A.CPU访问不同单元需要的时间不同B.CPU访问任何单元的速度相同C.CPU访问地址小的单元,速度较快D.访问时间不固定

考题 相联存储器的访问方式是(59)。A.先进先出访问B.先进后出访问C.按地址访问D.按内容访问

考题 关联存储器的访问方式是()。A.先进先出顺序访问 B.按地址访问 C.无地址访问 D.按内容访问

考题 在实模式下寻址时,所有存储器地址都可以看成是哪两个地址的组合寻址?所允许访问的存储器最大地址为多少?

考题 CPU发出的访问存储器的地址是()A、物理地址B、偏移地址C、逻辑地址D、段地址

考题 相联存储器的访问方式是()A、先入先出访问B、按地址访问C、按内容访问D、先入后出访问

考题 存储器的随机访问方式是指()。A、可随意访问存储器B、按随机文件访问存储器C、可对存储器进行读出与写入D、可按地址访问存储器任一编址单元,其访问时间相同且与地址无关

考题 I/O编址方式通常可分统一编址和独立编址,()A、 统一编址是将I/O地址看作是存储器地址的一部分,可用专门的I/O指令对设备进行访问B、 独立编址是指I/O地址和存储器地址是分开的,所以对I/O访问必须有专门的I/O指令C、 统一编址是指I/O地址和存储器地址是分开的,所以可用访存指令实现CPU对设备的访问D、 独立编址是将I/O地址看作是存储器地址的一部分,所以对I/O访问必须有专门的I/O指令

考题 在MCS-51中PC和DPTR都用于传送地址,但PC是为访问()存储器传送地址。

考题 在MCS-51中,PC和DPTR都用于提供地址,但PC是为访问()存储器提供地址,而DPTR是为访问()存储器提供地址。

考题 在MCS-51中PC和DPTR都用于提供地址,但PC是为访问程序存储器提供地址,而DPTR是为访问()存储器提供地址。

考题 如果存储器周期是400ns,而每个周期可访问4字节,则存储器带宽为()。

考题 填空题C28x片内SARAM分()块。

考题 单选题双端口存储器与普通存储器的差异是()A 存储周期更短B 字长更宽C 有两个访问端口

考题 问答题在实模式下寻址时,所有存储器地址都可以看成是哪两个地址的组合寻址?所允许访问的存储器最大地址为多少?

考题 单选题I/O编址方式通常可分统一编址和独立编址,()A  统一编址是将I/O地址看作是存储器地址的一部分,可用专门的I/O指令对设备进行访问B  独立编址是指I/O地址和存储器地址是分开的,所以对I/O访问必须有专门的I/O指令C  统一编址是指I/O地址和存储器地址是分开的,所以可用访存指令实现CPU对设备的访问D  独立编址是将I/O地址看作是存储器地址的一部分,所以对I/O访问必须有专门的I/O指令

考题 填空题DSP芯片内部包含存储器类型有片内双访问存储器(DARAM)、片内单访问程序/数据RAM(SARAM)、掩膜型片内ROM存储器、()、一次性可编程存储器(OTP)。

考题 单选题存储器的随机访问方式是指()A 可随意访问存储器B 按随机文件访问存储器C 可对存储器进行读出与写入D 可按地址访问存储器任一编址单元,其访问时间相同且与地址无关

考题 单选题相联存储器的访问方式是()A 先入先出访问B 按地址访问C 按内容访问D 先入后出访问

考题 单选题CPU发出的访问存储器的地址是()A 物理地址B 偏移地址C 逻辑地址D 段地址

考题 填空题如果存储器周期是400ns,而每个周期可访问4字节,则存储器带宽为()。

考题 填空题C28x包含位的Flash存储器()位的OTP