考题
频率和晶片尺寸相同时，横波与纵波相比，其指向性（）。A、 较好B、 较坏C、 一样D、 以上都不对
考题
超声纵波、横波和表面波速度主要取决于：（）A、频率B、传声介质的几何尺寸C、传声材料的弹性模量和密度
考题
面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，声束指向性也相同（）
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
检查板材中分层缺陷，不推荐使用哪种技术（）A、单晶片直射纵波B、双晶片斜射纵波C、斜入射横波D、双探头透射法
考题
爬波是指表面下纵波，爬波检测的深度范围与频率和晶片尺寸有关。
考题
频率和晶片尺寸相同时，横波声束指向性不如纵波好。
考题
纵波斜探头法的优点是工件中既有纵波，又有横波，因此可同时用纵波和横波进行缺陷检测。
考题
为减小超声波通过介质时的衰减和避免林状回波，宜采用（）进行探伤A、高频率、横波B、较低频率、横波C、高频率、纵波D、较低频率、纵波
考题
横波探测缺陷要比纵波灵敏，这是因为（）A、横波比纵波的波长短B、横波的频率高C、横波比纵波的波长长D、横波不易扩散
考题
在频率一定和材料相同的情况下，横波对小缺陷灵敏度比纵波高的原因是（）。A、横波质点振动方向有利于缺陷反射B、横波检测杂波小C、横波波长短D、横波指向性好
考题
频率、晶片尺寸等条件相同时，在同一介质中，横波声束指向性比纵波差。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
在其他条件相同时，横波声束的指向性比纵波好，横波的能量更集中一些，因横波波波长比纵波短。
考题
直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
考题
在频率一定和材料相同情况下，横波对小缺陷探测灵敏度高于纵波，其原因：（）。A、横波质点振动方向对缺陷反射有利B、横波探伤杂波少C、横波波长短D、横波指向性好
考题
单选题在频率一定和材料相同情况下，横波对小缺陷探测灵敏度高于纵波的原因是：（）。A
横波质点振动方向对缺陷反射有利B
横波探伤杂质少C
横波波长短D
横波指向性好
考题
单选题横波探测缺陷要比纵波灵敏，这是因为（）A
横波比纵波的波长短B
横波的频率高C
横波比纵波的波长长D
横波不易扩散
考题
单选题在频率一定和材料相同的情况下，横波对小缺陷灵敏度比纵波高的原因是（）。A
横波质点振动方向有利于缺陷反射B
横波检测杂波小C
横波波长短D
横波指向性好
考题
判断题频率、晶片尺寸等条件相同时，在同一介质中，横波声束指向性比纵波差。A
对B
错
考题
判断题频率和晶片尺寸相同时，横波声束指向性不如纵波好。A
对B
错
考题
判断题频率和晶片尺寸相同，横波指向性比纵波好。A
对B
错
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题检查板材中分层缺陷，不推荐使用哪种技术（）A
单晶片直射纵波B
双晶片斜射纵波C
斜入射横波D
双探头透射法
考题
判断题在其他条件相同时，横波声束的指向性比纵波好，横波的能量更集中一些，因横波波波长比纵波短。A
对B
错
考题
判断题爬波是指表面下纵波，爬波检测的深度范围与频率和晶片尺寸有关。A
对B
错