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斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 

  • A、 增大
  • B、 不变
  • C、 减小
  • D、 都有可能

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考题 关于声场的特性，下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区
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考题 关于声场的特性，下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比 B.近场区横向分辨率低于远场区 C.近场区声束呈喇叭形 D.近场区横断面上能量分布基本均匀 E.远场区声束直径小于近场区
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考题 纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。
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考题 同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
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考题 斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
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考题 横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
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考题 面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场区场区相同（）
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考题 频率、晶片尺寸等条件相同时，在同一介质中，横波声束指向性比纵波差。
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考题 直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：（）。
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考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。
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考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
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考题 直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D2/4λ－L1C1/C2。
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考题 探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
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考题 斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
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考题 说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
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考题 紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。
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考题 超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
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考题 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
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考题 判断题紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。A 对B 错
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考题 判断题纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。A 对B 错
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考题 问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
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考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A  增大B  不变C  减小D  都有可能
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考题 单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A K值增大时，近场区长度不变B K值增大时，近场区长度增大C K值增大时，近场区长度减小D K值与近场区长度无关
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考题 判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A 对B 错
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考题 判断题面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场区场区相同（）A 对B 错
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考题 填空题斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
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考题 判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A 对B 错
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