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名词解释题
短沟道效应

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考题 SOS求救信号可以用()的任何信号来表示。 A、三长,三短,再三短B、三短,三短,再三长C、三短,三长,再三短D、三短,三长,再三长

考题 接头操作要求的“两短”是指()A、抬头短   提纱短B、引纱短 绕导纱钩短C、引纱短  提纱短

考题 试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为()A、一短一长二短声B、一短二长二短声C、一短一长三短声D、二短一长二短声

考题 什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

考题 根据不同的报警声确定故障点,下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有()A、1短3短1短B、1短3短2短C、1短3短3短D、1短4短4短

考题 遇险时发出摩尔斯电码求救,发出SOS求救信号,可以用()任何信号来表示。A、三短、三长、三短B、二短、二长、二短C、二短、三长、二短D、三短、四长、三短

考题 国际遇险求救信号SOS的摩氏信号是()。A、三短、三长、三短B、三长、三短、三长C、三短、二长、三短D、二短、二长、二短

考题 短截方式有()等。A、轻短截B、中短截C、重短截D、极重短截

考题 短/短(S/S)及短/长(S/F)复合纺纱

考题 对沟道效应,沿着主晶轴方向入射时,角分布半宽度的典型值为多少。

考题 应急手电筒SOS信号为()。A、三短三长三短B、三长三短三长C、三长三长三短D、三短三短三长

考题 名词解释题离子注入的沟道效应

考题 填空题阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。

考题 单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A  电活性B  晶格损伤C  横向效应D  沟道效应

考题 问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?

考题 问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

考题 问答题什么是短沟道效应?有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应?

考题 单选题遇险时发出摩尔斯电码求救,发出SOS求救信号,可以用()任何信号来表示。A 三短、三长、三短B 二短、二长、二短C 二短、三长、二短D 三短、四长、三短

考题 问答题什么是沟道效应?抑制方法?

考题 单选题试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为()A 一短一长二短声B 一短二长二短声C 一短一长三短声D 二短一长二短声

考题 问答题什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?

考题 问答题如何降低沟道效应?

考题 填空题()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。

考题 名词解释题沟道效应

考题 名词解释题短沟道效应(Short Channel Effect)

考题 填空题为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。

考题 多选题根据不同的报警声确定故障点,下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有()A1短3短1短B1短3短2短C1短3短3短D1短4短4短