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名词解释题
短沟道效应

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考题 SOS求救信号可以用()的任何信号来表示。 A、三长,三短,再三短B、三短,三短,再三长C、三短,三长,再三短D、三短,三长,再三长
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考题 接头操作要求的“两短”是指（）A、抬头短   提纱短B、引纱短 绕导纱钩短C、引纱短  提纱短
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考题 试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为（）A、一短一长二短声B、一短二长二短声C、一短一长三短声D、二短一长二短声
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考题 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
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考题 根据不同的报警声确定故障点，下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有（）A、1短3短1短B、1短3短2短C、1短3短3短D、1短4短4短
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考题 遇险时发出摩尔斯电码求救，发出SOS求救信号，可以用（）任何信号来表示。A、三短、三长、三短B、二短、二长、二短C、二短、三长、二短D、三短、四长、三短
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考题 国际遇险求救信号SOS的摩氏信号是（）。A、三短、三长、三短B、三长、三短、三长C、三短、二长、三短D、二短、二长、二短
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考题 短截方式有（）等。A、轻短截B、中短截C、重短截D、极重短截
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考题 短/短（S/S）及短/长（S/F）复合纺纱
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考题 对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
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考题 应急手电筒SOS信号为（）。A、三短三长三短B、三长三短三长C、三长三长三短D、三短三短三长
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考题 名词解释题离子注入的沟道效应
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考题 填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
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考题 单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A  电活性B  晶格损伤C  横向效应D  沟道效应
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考题 问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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考题 问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
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考题 问答题什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？
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考题 单选题遇险时发出摩尔斯电码求救，发出SOS求救信号，可以用（）任何信号来表示。A 三短、三长、三短B 二短、二长、二短C 二短、三长、二短D 三短、四长、三短
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考题 问答题什么是沟道效应？抑制方法？
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考题 单选题试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为（）A 一短一长二短声B 一短二长二短声C 一短一长三短声D 二短一长二短声
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考题 问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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考题 问答题如何降低沟道效应？
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考题 填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。
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考题 名词解释题沟道效应
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考题 名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）
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考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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考题 多选题根据不同的报警声确定故障点，下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有（）A1短3短1短B1短3短2短C1短3短3短D1短4短4短
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