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问答题
什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？
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考题
隧道长度与中间段亮度L3有一定关系：隧道长，适应时间就（），L3可以（）；反之，隧道短，适应时间就（），L3就（）。A、长；提高；短；降低B、短；降低；长；提高C、长；降低；短；提高D、短；提高；长；降低
考题
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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