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填空题
离子晶体生成Schttky缺陷时,正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随()的增加。

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考题 在Hofmann重排中,迁移基团生成的中间产物是?() A、碳负离子B、碳正离子C、氮负离子D、异氰酸酯

考题 把在实际晶体中出现的空位和间隙原子叫做点缺陷。()

考题 把在实际晶体中出现的空位和间隙原子的缺陷叫做面缺陷。()

考题 放电电极附近的气体电离产生大量的()。A正离子和电子;B正离子和负离子;C正电荷和负电荷;D中子和电子。

考题 在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

考题 因为负离子一般比较大,负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架,正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。

考题 实际晶体的线缺陷表现为空位和间隙原子。

考题 晶体的点缺陷主要指空位、置换原子和间隙原子和位错。

考题 载流子—电荷的自由粒子;金属:();无机材料:离子(正负离子、空位)、电子(负电子、空穴)

考题 通常,大气中的正离子与负离子的平均值为()A、正离子与负离子的平均值大致相当B、负离子大于正离子C、正离子大于负离子D、负离子远大于正离子

考题 金属的晶体结构点缺陷常见的缺陷有()。A、空位B、间隙原子C、置换原子

考题 金属晶体中常见的点缺陷是空位、间隙原子和置换原子,线缺陷是(),面缺陷是晶界。

考题 下述晶体缺陷中属于线缺陷的是()A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子

考题 电极附近的气体由于电离而产生大量的正离子和负离子。

考题 在本征半导体中,()是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴

考题 单选题晶体中的空位属于()。A 线缺陷B 面缺陷C 点缺陷D 体缺陷

考题 填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。生成弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)时,()。A 间隙和空位质点同时成对出现B 正离子空位和负离子空位同时成对出现C 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D 正离子间隙和位错同时成对出现

考题 单选题在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。A 低于B 高于C 等于D 不确定

考题 单选题通常,大气中的正离子与负离子的平均值为()A 正离子与负离子的平均值大致相当B 负离子大于正离子C 正离子大于负离子D 负离子远大于正离子

考题 单选题对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷,为了保持电中性,会产生()。A 正离子空位B 间隙负离子C 负离子空位D A或B

考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小B 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

考题 判断题实际晶体的线缺陷表现为空位和间隙原子。A 对B 错

考题 单选题对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生()。A 负离子空位B 间隙正离子C 间隙负离子D A或B

考题 单选题非化学计量空位形成的类型包括()A 非金属离子空位型B 杂质离子空位型C 原子空位型D 金属离子空位型

考题 单选题下列说法错误的是()A 空位在不停地运动,遇到间隙原子时就会与其合并而消失。B 空位和空位运动到一起就会形成复合空位。C 晶体中的空位是固定不动的。

考题 单选题晶体中的空位属于()。A 点缺陷B 线缺陷C 面缺陷