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在本征半导体中，（）是同时出现的.

  • A、多子和少子
  • B、正离子和负离子
  • C、自由电子和空穴

参考答案

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考题 N型半导体中的多子是( )。 A.电子B空穴C正离子D负离子
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。此题为判断题(对，错)。
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考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
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考题 在P型半导体中（）为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴
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考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 在本征半导体中，自由电子和空穴是独自产生的，互相无关联。
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考题 半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 半导体中的载流子为（）。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴
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考题 P型半导体的多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 N型半导体中的多子是（）。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 P型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体以（）导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 在N型半导体中（）为多子.A、自由电子B、空穴C、正离子
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考题 本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。
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考题 单选题半导体内的载流子是（）。A 正离子B 负离子C 自由电子D 自由电子与空穴
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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考题 单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子
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