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填空题
霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受（）作用产生（）的结果。

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考题 霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛伦兹力的作用结果.() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，导体作用主要由空穴决定。此题为判断题(对，错)。
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考题 右手螺旋法用于判断（）。A、导体在磁场中的受力情况B、导体在磁场中运动产生感生电流的方向C、通电导线周围产生的磁场方向D、通电直导线周围产生的磁场方向和线圈产生的磁场方向
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考题 异步电动机是根据导体切割磁场产生（）和载流导体在磁场中受到（）的作用这两条原理工作的。
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考题 霍尔效应的原因是（）A、电流在磁场中受到洛仑兹力B、霍尔元件在磁场中感生出电动势C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力D、霍尔元件在磁场中受到重力
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考题 电磁感应现象是指（）A、有磁场就会产生感应电动势B、载流导体在磁场中受力的作用C、载流导体周围存在着磁场D、变化导体磁场能使线圈产生感应电动势
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考题 霍尔效应是指（）作用于载流金属导体、半导体中的载流子时产生横向电位差的物理现象A、场强B、电磁C、磁感应D、磁场
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考题 电磁感应是指导体在磁场内运动或磁场在导体周围运动，结果均能使导体切割磁力线而产生（）。
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考题 置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）A、压电效应B、磁阻效应C、霍尔效应D、光电效应
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考题 霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。A、横向电位差B、纵向电位差C、横向电流D、纵向电流
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考题 霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。A、平行；电流B、垂直；电压C、平行；电压D、垂直；电流
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考题 霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受（）作用产生（）的结果。
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考题 霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛伦兹力的作用结果。
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考题 半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 霍尔效应是导体中的（）在磁场中受（）作用产生（）的结果。
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考题 霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
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考题 霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流
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考题 只要导体在磁场中运动，其导体上产生电压的方向取决于（）.A、导体运动的方向和作用磁场方向B、导体运动速度C、导体运动方向D、作用磁场方向
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考题 电动机能够转动的理论依据是（）。A、载流导体在磁场中受力的作用B、载流导体周围存在磁场C、载流导体中的电流处于自身产生的磁场中，受力的作用D、欧姆定律
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考题 单选题所谓电流的力效应是指（）。A 载流导体在磁场中会产生电场力B 载流导体在磁场中会产生电磁吸力C 载流导体在磁场中会受到力的作用D 电流对磁场产生作用力
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考题 单选题电磁感应现象是指（）A 有磁场就会产生感应电动势B 载流导体在磁场中受力的作用C 载流导体周围存在着磁场D 变化导体磁场能使线圈产生感应电动势
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考题 填空题霍尔效应是导体中的（）在磁场中受（）作用产生（）的结果。
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考题 单选题电动机能够转动的理论依据是（）。A 载流导体在磁场中受力的作用B 载流导体周围存在磁场C 载流导体中的电流处于自身产生的磁场中，受力的作用D 欧姆定律
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考题 判断题霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛伦兹力的作用结果。A 对B 错
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考题 单选题霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。A 横向电位差B 纵向电位差C 横向电流D 纵向电流
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