网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()
A

荧光

B

光电子

C

负离子

D

正离子

E

电子-空穴对


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()A 荧光B 光电子C 负离子D 正离子E 电子-空穴对” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是( )。 A.电子B空穴C正离子D负离子

考题 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致辐射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致辐射、负电子和负离子

考题 不是光电效应产物的是A.光电子B.正离子C.特性放射D.俄歇电子E.负离子

考题 光电效应产生的次级粒子( ) A.光电子B.正离子C.负离子D.俄歇电子

考题 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

考题 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子S 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出A.荧光 B.可见光 C.低能x射线 D.正电子 E.电子空穴对

考题 当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()A、荧光B、光电子C、负离子D、正离子E、电子-空穴对

考题 N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

考题 半导体内的载流子是()。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴

考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能x射线

考题 半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

考题 P型半导体的多数载流子是()。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子

考题 N型半导体中的多子是()。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子

考题 在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对

考题 P型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

考题 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 N型半导体以()导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子

考题 单选题关于光电效应的产物,正确的是(  )。A 韧致辐射、光电子和正离子B 特征放射、光电子和负离子C 特征放射、正电子和正离子D 特征放射、光电子和正离子E 韧致辐射、负电子和负离子

考题 单选题半导体内的载流子是()。A 正离子B 负离子C 自由电子D 自由电子与空穴

考题 单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A 非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B 太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C 伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D 探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E 图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

考题 单选题非晶硅探测器接收一个X线光子可产生多少个光电子?(  )A 600~800B 800~1000C 1000~1100D 1100~1200E 1200~1500

考题 单选题X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A 可见光B 电子空穴对C 荧光D 正电子E 低能X射线

考题 单选题与光电效应无关的是(  )。A 正离子B 带电粒子C 光电子D 特性放射E 负离子

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子

考题 单选题N型杂质半导体中,多数载流子是()A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子