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问答题
电子-空穴对的复合过程有哪两种？

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考题 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子，即()。A.带负电的自由电子B.带正电的自由电子C.带正电的空穴D.带负电的空穴
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考题 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
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考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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考题 按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件
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考题 在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 电子导电和夺穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 半导体中的自由电子是指：（）。A、价电子；B、组成共价键的电子；C、与空穴复合的电子；D、挣脱共价键束缚的电子。
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考题 半导体中有（）和空穴两种载流子。A、原子B、离子C、电子D、中子
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考题 电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
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考题 电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
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考题 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）、（）、（）三类。
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考题 电子货币的形式有哪两种？
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考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子，即（）。A、带负电的自由电子B、带正电的自由电子C、带正电的空穴D、带负电的空穴
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考题 在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
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考题 在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
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考题 导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
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考题 半导体中有两种载流子，分别是（）。A、原子和中子B、电子和空穴C、电子和质子D、电子和离子
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考题 判断题半导体中存在两种载流子，只有自由电子参与导电，而空穴不参与导电。A 对B 错
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考题 判断题光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。A 对B 错
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考题 判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A 对B 错
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考题 判断题光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。A 对B 错
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考题 判断题光敏电阻的是由于被光照后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间。A 对B 错
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考题 单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A 禁带B 分子C 粒子D 能带
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