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单选题
对于给定材料制成的某种光子探测器，入射辐射波长有何限制才能产生特定的光电效应（）。
A
必须大于某一极限值λc
B
必须等于某一极限值λc
C
无任何限制
D
必须小于某一极限值λc
参考答案
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解析：
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考题
关于康普顿效应的叙述，正确的是A、光子自身波长变短，产生散射现象B、发生几率与入射光子的能量成反比C、光子与内层电子作用产生康普顿效应D、产生的散射线增加胶片的对比度E、与光电效应是同一种作用形式
考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
下列有关光电效应的叙述，错误的是（）A、诊断用X线与铅的相互作用形式，主要是光电效应B、光电效应的结果是，入射光子能量的一部分以散射光子释放C、光电效应可产生特征放射、光电子和正离子D、光电效应中，X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子E、光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生
考题
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 A、光子效应B、霍尔效应C、热电效应D、压电效应
考题
光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg
考题
下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
考题
单选题以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A
光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B
光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C
光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D
光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
单选题当入射X射线光子和原子内一个轨道电子发生相互作用时，光子损失一部分能量，并改变运动方向，电子获得能量而脱离原子，这个过程称为康普顿效应。损失能量后的X射线光子称为散射光子，获得能量的电子称为反冲电子。入射光子被散射时波长的改变，错误的是（）A
波长变长B
与电子的静止质量有关C
与散射角有关D
与入射光子的波长无关E
与入射光子的波长有关
考题
单选题下列说法中不正确的是（）A
普朗克在研究黑体辐射问题时提出了能量子假说B
光电效应、康普顿效应说明光具有粒子性C
黑体辐射，随着温度的升高，一方面各种波长的辐射强度都有增加，另一方面辐射强度的极大值向波长较短的方向移动D
在康普顿效应中，当入射光子与晶体中的电子碰撞时，把一部分动量转移给电子，因此光子散射后波长变短
考题
单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A
光子效应B
霍尔效应C
热电效应D
压电效应
考题
判断题量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。A
对B
错
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