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光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）

  • A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg
  • B、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg

参考答案

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考题 对于负偏态分布的资料,M与的关系为:() A、M=B、MC、M>D、M与无确定关系
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考题 耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
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考题 三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏,集电结反偏。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 频数分布的类型可分为A.对称分布与正偏态分布 B.正偏态分布与负偏态分布 C.对称分布与偏态分布 D.对称分布与负偏态分布 E.对称分布
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考题 三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏，集电结反偏。
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考题 TZ-1型接触电阻检测仪测量时，若测笔悬空，仪器指针可能偏移零位(正偏或反偏)，此系机内测量放大器输入端处于短路状态所致。
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考题 中医认为：机体处于疾病状态时，人体阴阳之间的关系为（）。A、阴阳转化B、阴阳对立 C、阴阳偏盛或偏衰D、阴平阳秘
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考题 频数分布的类型可分为（）A、正偏态分布与负偏态分布B、对称分布C、对称分布与偏态分布D、对称分布与正偏态分布E、对称分布与负偏态分布
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考题 光功率增益定义为（）A、输出光功率与输入光功率的差B、最小光功率与最大光功率的和C、输出光功率与输入光功率的和D、最小光功率与最大光功率的差
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考题 对于偏态系数（）。A、若偏态系数SK=0为对称分布B、若偏态系数SK0为右偏或正偏分布；C、若偏态系数SK0为左偏或负偏分布；D、偏态系数SK0为左偏或负偏分布E、偏态系数SK0为右偏或正偏分布
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考题 增益定义为（）A、输出光功率与输入光功率的差B、最小光功率与最大光功率的和C、输出光功率与输入光功率的和D、最小光功率与最大光功率的差
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考题 光源的色温与光源的颜色关系为，色温越高，光越偏蓝；色温越低，光越偏红。
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考题 方差分析使用的统计量F（）A、是正态分布B、是正偏态的C、是负偏态的D、取值小于零
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 晶体二极管的正极电位是-10，负极电位是-5V，则该晶体管处于（）。A、零偏B、反偏C、正偏D、正偏或反偏
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考题 填空题硅光电池的光电特性中，当（）时，光电流在很大范围内与照度呈线性关系。
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考题 单选题硅光电二极管与硅光电池比较，前者（）。A 掺杂浓度低B 电阻率低C 零偏工作D 光敏面积大
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考题 多选题对于偏态系数（）。A若偏态系数SK=0为对称分布B若偏态系数SK0为右偏或正偏分布；C若偏态系数SK0为左偏或负偏分布；D偏态系数SK0为左偏或负偏分布E偏态系数SK0为右偏或正偏分布
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考题 单选题光功率增益定义为（）A 输出光功率与输入光功率的差B 最小光功率与最大光功率的和C 输出光功率与输入光功率的和D 最小光功率与最大光功率的差
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考题 单选题方差分析使用的统计量F（）A 是正态分布B 是正偏态的C 是负偏态的D 取值小于零
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考题 单选题频数分布的类型可分为（　　）。A 正偏态分布与负偏态分布B 对称分布C 对称分布与偏态分布D 对称分布与正偏态分布E 对称分布与负偏态分布
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考题 填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
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考题 问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
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考题 单选题硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置
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考题 单选题中医认为：机体处于疾病状态时，人体阴阳之间的关系为（）。A 阴阳转化B 阴阳对立 C 阴阳偏盛或偏衰D 阴平阳秘
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考题 单选题频数分布的类型可包括（　　）。A 对称分布与负偏态分布B 对称分布C 对称分布与偏态分布D 对称分布与正偏态分布E 正偏态分布与负偏态分布
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考题 单选题硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好的线性关系，且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置
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