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名词解释题
窄沟道效应

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考题 下列关于房角的说法正确的是A、窄Ⅰ：动态下看不见睫状体带窄Ⅳ：只能看见Schwalbe线B、窄Ⅱ：看不见巩膜突C、窄Ⅲ：看见全部小梁D、窄Ⅳ：只能看见Schwalbe线E、房角关闭就是窄Ⅳ
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考题 房角镜下静态能看到巩膜突者为 ( )A.窄ⅢB.窄ⅠC.窄ⅣD.窄ⅡE.宽角
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考题 R型铁心变压器的铁心带料是()。 A、由窄变宽再由宽变窄B、由宽变窄C、由窄变宽D、由宽变窄再由窄变宽
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考题 A.两侧变窄 B.右侧变窄 C.左侧变窄 D.桥面变窄
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考题 Scheie将窄角分为四级，能看见前部小梁者为A.窄Ⅳ B.窄Ⅱ C.窄Ⅰ D.窄Ⅲ
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考题 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
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考题 318轴承属于（）系列轴承。A、轻窄B、中窄C、重窄
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考题 对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
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考题 前房角镜检查按照Schwalbe前房角分类法，看见巩膜突者为（）A、窄ⅠB、窄ⅡC、窄ⅣD、宽角E、窄Ⅲ
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考题 下列关于窄房角的说法不正确的是（）A、窄Ⅳ：只能看见Schwalbe线B、窄Ⅱ：看见巩膜突C、窄Ⅲ：看见前部非功能小梁D、窄Ⅰ：动态下见睫状体带E、窄Ⅴ：看见全部小梁网
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考题 Scheie将窄角分为四级，能看见巩膜突者为A、窄ⅠB、窄ⅡC、窄ⅢD、窄Ⅳ
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考题 填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
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考题 单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A  电活性B  晶格损伤C  横向效应D  沟道效应
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考题 问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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考题 问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
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考题 问答题什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？
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考题 问答题什么是沟道效应？抑制方法？
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考题 单选题Scheie将窄角分为四级，能看见前部小梁者为（）A 窄ⅠB 窄ⅡC 窄ⅢD 窄Ⅳ
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考题 问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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考题 问答题如何降低沟道效应？
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考题 填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。
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考题 名词解释题沟道效应
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考题 名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）
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考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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