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单选题
光电二极管有光照时，其反向电流约为（）。
A

几十微安

B

几十毫安

C

几十安

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。 () 此题为判断题(对，错)。
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考题 光电二极管有光照时,其反向电流约为()。 A.几十微安B.几十毫安C.几十安D.几百安
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考题 光电二极管产生光电流的大小主要取决于() A、反向偏压大小B、负载电阻C、照强度D、温度
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考题 光电二极管常用于光的测量，它的反向电流随光照强度的增加而（）。A下降；B不变；C上升；D以上三项均有可能。
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考题 发光二极管和光电二极管在正常工作时，其两端应（）A、均加正向电压B、均加反向电压C、前者加正向电压，后者加反向电压D、与C向相反
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考题 光电二极管工作在反向状态，（）与光的照度成正比A、反向电流B、正向电流C、反向电压
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考题 光电二极管有光照时，其反向电流约为（）。 A、几十微安B、几十毫安C、几十安
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考题 光敏二极管的特性主要有（）。A、受光照射时反向电流减少B、受光照射时导通频率增加C、受光照射时反向抗阻降低D、受光的照射反向电流增加
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考题 对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。
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考题 光敏二极管在没有光照射时反向电阻很大，暗电流很小。
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考题 用万用表50μA档。用红表笔接光电二极管“+”极，黑表笔接“—”极，在白炽灯下（不能用日光灯），随着光照增强，其电流增加是好的，短路电流可达数十至数百μA。
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考题 在光电效实验中，影响准确确定光电管的截止电压的主要因素有二：1，当光照射到阴极时，必然有部分光漫反射至阳极，至使阳极产生光电效应并发射光电子，这些光电子很易到达阴极而形成（）；2，当光电管无任何光照时，在外加电压作用下仍会有微弱电流流过，我们称之为光电管的（）。A、暗电流；反向电流B、暗电流；光电流C、反向电流；暗电流D、反向电流；光电流
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考题 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反中向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）
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考题 二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
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考题 光电二极管要反向连入电路中。
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考题 光敏电阻的特性是（）A、有光照时亮电阻很大B、无光照时暗电阻很小C、无光照时暗电流很大D、受一定波长范围的光照时亮电流很大
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考题 PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。
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考题 光电二极管能将（）信号转变为（）信号，它工作时需加反向偏置电压。
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考题 用万用表1V档测光电二极管。用红表笔接光电二极管“+”极，黑表笔接“—”极，在光照下，其电压与光照强度成比例，一般可达0.02—0.04V。
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考题 PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
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考题 光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
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考题 硅稳压管工作在击穿区时，其伏安特性是（）。A、电压微变，反向电流微变B、电压剧变，反向电流微变C、反向电流剧变，电压微变D、无法判定
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考题 要使光敏二极管有较大的输出应该（）。A、不加电压，只要有较强光照B、加反向电压，有较强光照C、加正向电压，有较强光照D、工作在反向击穿状态，不需要光照
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考题 单选题光电二极管工作在反向状态，（）与光的照度成正比A 反向电流B 正向电流C 反向电压
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考题 填空题光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而（）。
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考题 单选题光电二极管有光照时，其反向电流约为（）。A 几十微安B 几十毫安C 几十安
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