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填空题
光电二极管的PN结工作在反偏状态,它的反向电流会随光照强度的增加而()。

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考题 三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏,发射结反偏D、集电结反偏,发射结正偏

考题 晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置

考题 稳压二极管是利用PN结的( )。 A 单向导电性B. 反偏截止特性C反向击穿特性

考题 反向电压引起反向电流急增时的PN结处于()状态,该状态是()二极管的稳压工作状态。

考题 光电二极管常用于光的测量,它的反向电流随光照强度的增加而()。A下降;B不变;C上升;D以上三项均有可能。

考题 处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、射结正偏,集电结反偏B、射结反偏,集电结反偏C、射结正偏,集电结正偏D、射结反偏,集电结正偏

考题 二极管加反向电压时,形成很小的反电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流是:()A、随反向电压的增加而减少B、随反向电压的增加而增大C、随反向电压的增加而基本不变D、随反向电压的减小而减小

考题 给PN结加反向电压(反偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

考题 三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

考题 晶体二极管是由一个()作为管芯,其最主要的电特性是():加正向电压时PN结处于()状态,加反向电压PN结处于()状态。

考题 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于()状态,该状态是()二级管的工作状态,是()二极管的故障状态。

考题 工作在截止区的三极管的两个PN结()。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏,一个反偏D、都不对

考题 硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()

考题 PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

考题 PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

考题 稳压二极管在稳压状态时,它的PN结处在()状态。A、反向截止B、反向击穿C、正向导通D、零偏

考题 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

考题 晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

考题 两个PN结均为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。

考题 填空题PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

考题 单选题三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()。A 发射结和集电结同时反偏B 发射结正偏,集电结反偏C 发射结和集电结同时正偏D 发射结反偏,集电结正偏

考题 单选题为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应,下面可以采取的措施是()A 增强短波波长光谱的光照强度B 增强长波波长光谱的光照强度C 增加PN节厚度D 减薄PN节厚度

考题 问答题为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光?而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应?

考题 填空题光电池的PN结工作在()状态,它的开路电压会随光照强度的增加而()。

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考题 单选题处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A 射结正偏,集电结反偏B 射结反偏,集电结反偏C 射结反偏,集电结正偏D 射结正偏,集电结正偏