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问答题
埋层有什么作用？说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。

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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 硅的电阻率与掺杂浓度有关。
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考题 根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
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考题 填空题晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
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考题 问答题N+埋层的作用是什么？
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考题 问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
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考题 单选题硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（）A 衬底掺杂浓度高；B 电阻率高；C 光敏面小；D 前者反偏后者无偏；
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考题 问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
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考题 问答题四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？
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考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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考题 单选题为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。A 浓度均匀B 浓度大C 浓度小D 浓度适中
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