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硅的电阻率与掺杂浓度有关。
参考答案
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考题
晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
考题
单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是（）A
它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较高，而光电二极管掺杂浓度低；B
它们的电阻率不同，光电池的电阻率低；C
工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而光电二极管通常在反向偏置下工作；D
它们的光电流的大小不同，光电池的光电流小得多，通常在微安级。
考题
填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
考题
单选题“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（）A
它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高B
它们的电阻率不同，光电池的电阻率低C
工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D
它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级
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