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填空题
光照光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。

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考题 光照光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。A.电容B.电感C.电阻D.温度

考题 光敏二极管是光电转换半导体器件。().

考题 光敏二极管

考题 简述光敏电阻,光敏二极管,光敏晶体管,光电池的工作原理。 

考题 用光照射光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。A、电容B、电感C、电阻D、温度

考题 光照射光敏二极管,光强发生变化会引起光敏二极管电阻显著变化。

考题 为了提高光二极管的量子效率,以下说法正确的是()。A、光敏面需要做的厚一些B、耗尽区要足够窄C、尽量减少光敏面的反射损耗D、增加光照强度

考题 光敏二极管的光照特性为线性,可用作检测元件。

考题 硅光敏二极管的响应时间比光敏电阻的快。

考题 光敏二极管在没有光照射时反向电阻很大,暗电流很小。

考题 发光二极管和光敏电阻是利用半导体的光敏特性制成的。

考题 温度上升,光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管的暗电流()A、上升B、下降C、不变

考题 频率特性最好的是()。A、光敏电阻B、光敏二极管C、光敏三极管D、光电池

考题 下列器件响应时间最长的是()。A、光敏二极管B、光敏三极管C、光敏电阻D、无法判断

考题 光敏二极管比光敏三极管灵敏度大.

考题 硅光敏二极管的响应时间小于光敏电阻。

考题 以下哪些不是光敏二极管的基本特性()。A、伏安特性B、光照特性C、光谱特性D、频率特性

考题 当无光照时,光敏二极管处于截止状态。

考题 下列关于光敏二极管和光敏三极管的对比不正确的是()。A、光敏二极管的光电流很小,光敏三极管的光电流则较大B、光敏二极管与光敏三极管的暗点流相差不大C、工作频率较高时,应选用光敏二极管;工作频率较低时,应选用光敏三极管D、光敏二极管的线性特性较差,而光敏三极管有很好的线性特性

考题 光照光敏二极管,引起光敏二极管发生显著变化的量是()。

考题 光敏二极管受光照后,二极管上的().A、电流增加、电阻减少B、电流减少、电阻增加C、电流、电阻都增加D、电流、电阻都减少

考题 光敏二极管的工作电流与()成正比.A、导通电阻B、光照度C、正向电压D、反向电压

考题 单选题光纤通讯中,与出射光纤耦合的光电元件应选用()。A 光敏电阻B PIN光敏二极管C APD光敏二极管D 光敏三极管

考题 单选题封装在光电耦合器件内部的是()A 一个发光二极管和一个发光三极管B 一个光敏二极管和一个光敏三极管C 一个发光二极管和一个光敏三极管D 两个发光二极管或两个光敏三极管

考题 名词解释题光敏二极管

考题 问答题简述光敏电阻,光敏二极管,光敏晶体管,光电池的工作原理。

考题 单选题温度上升,光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管的暗电流()A 上升B 下降C 不变