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填空题
EPSP称为(),是一种()电位。
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考题
兴奋性突触传递过程为()
A、突触前膜释放兴奋性递质B、递质与突触后膜受体结合C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加D、突触后膜产生EPSPE、EPSP总和达到阈电位,突触后神经元产生动作电位
考题
数字电路工作时通常只有()状态:高电位(又称高电平)或低电位(又称低电平)。通常把高电位用代码“1”表示,称为逻辑“1”;低电位用代码“0”表示,称为逻辑“0”(按正逻辑定义的)。A、四种B、三种C、两种D、一种
考题
突触后神经元兴奋时,动作电位首先在轴突始段爆发的原因是()A、此处的EPSP幅度大B、EPSP总和仅发生于此处C、此处的细胞膜电阻小D、此处阈电位靠近静息电位E、此处电压门控钠通道密度大
考题
关于突触前易化的产生,正确的描述是()A、突触前膜钾通道通透性增高B、到达末梢的动作电位频率增高C、多个兴奋同时到达突触前末梢D、突触前末梢递质释放增多E、突触后膜多个EPSP发生总和
考题
单选题数字电路工作时通常只有()状态:高电位(又称高电平)或低电位(又称低电平)。通常把高电位用代码“1”表示,称为逻辑“1”;低电位用代码“0”表示,称为逻辑“0”(按正逻辑定义的)。A
四种B
三种C
两种D
一种
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
考题
单选题突触后神经元兴奋时,动作电位首先在轴突始段爆发的原因是()A
此处的EPSP幅度大B
EPSP总和仅发生于此处C
此处的细胞膜电阻小D
此处阈电位靠近静息电位E
此处电压门控钠通道密度大
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