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判断题
压阻式微传感器是在单晶半导体膜片适当部位扩散形成力敏电阻而构成的。
A
对
B
错
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考题
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
考题
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是()。A
扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B
其硅片上沿单晶硅的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥C
集力敏与力电转换检测于一体D
根据压阻效应,将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流,再根据电流变化与压力大小的非线性关系,推算压力大小。
考题
问答题何谓压阻效应?扩散硅压阻式传感器与贴片型电阻应变式传感器相比有什么优点,有什么缺点?如何克服?
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