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()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。
- A、半导体二极管;
- B、晶体三极管;
- C、场效应晶体管;
- D、双向晶闸管。
参考答案
更多 “()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。” 相关考题
考题
下列说法正确的是()。A、在电场的作用下,由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B、击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C、发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D、以上说法都正确
考题
单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A
半导体二极管;B
晶体三极管;C
场效应晶体管;D
双向晶闸管。
考题
单选题半导体是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。按这个定义,下面说法错误的是()。A
某种溶液的导电性能不如金属,又不是绝缘体,所以,这种溶液是半导体B
汞的导电性能大大小于铝、铜、铁等金属材料,所以汞是半导体物质C
干燥的木块不导电,将木块弄潮湿后开始导电,但导电性能远不如铝、铜、等金属材料。有人说,“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的D
在纯结晶状态的硅中掺人某些元素原子后,会由不导电变为导电。但它在某一个方向导电比另一个方向容易些,而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属,所以,硅是半导体物质
考题
单选题高压交联电缆的导电线芯表面覆盖半导电层,其目的是()。A
增加导电线芯的导电半径B
加强导电线芯与绝缘之间的合力C
使电场均匀,降低突出部分的电场强度
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