考题
共模抑制比KCMR是差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的比值,KCMR越大,差动放大电路的性能越好。()
此题为判断题(对，错)。
考题
集成运放的共模抑制比愈高,抑制共模信号的能力愈强。()
此题为判断题(对，错)。
考题
差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(),而提高共模抑制比。A、抑制共模信号B、抑制差模信号C、放大共模信号D、既抑制共模信号又抑制差模信号
考题
调音台电路中的输入级一般采用差分放大器,因为差分放大器的()抗干扰性好。
A、串模增益低B、共模抑制比低C、共模增益高D、共模抑制比高
考题
DVM的抗干扰能力一般可用串模干扰抑制比和共模干扰抑制比来表征。
考题
同相并联结构的两级差动放大电路（A1.A2是组成第一级的运算放大器），第一级放大电路的共模抑制能力取决于（）A、第一级的差动增益；B、A1器件本身的共模抑制比；C、A2器件本身的共模抑制比；D、A1和A2器件本身的共模抑制比的差异；E、第二级放大电路的共模抑制能力。
考题
集成运放的共模抑制比愈高，抑制共模信号的能力愈（）。
考题
差模放大倍数与共模放大倍数的比值，反映了集成运放抑制共模信号的能力，称为（）A、输入电阻B、输出电阻C、共模抑制比D、开环差模电压增益
考题
共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低
考题
集成运放的共模抑制比越大，抑制共模信号能力越强。（）
考题
衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是（）A、差模电压放大倍数B、差模抑制比C、共模电压放大倍数D、共模抑制比
考题
仪表放大器（）A、共模抑制比低、温漂小B、共模抑制比高、温漂大C、共模抑制比高、温漂小D、共模抑制比低、温漂大
考题
运算放大器很少开环使用，其开环增益主要用来说明其（）。A、电压放大能力B、共模抑制比C、串模抑制能力D、运算精度
考题
简述抑制比的含义，并说明最小边模抑制比的定义。
考题
高输入阻抗测量放大电路具有高的共模抑制比，即对共模信号有抑制作用，对（）信号有放大作用。
考题
共模抑制比越大，差放电路分辨差模信号的能力越强，受共模信号的影响越小。
考题
差动放大电路的共模抑制比定义为（）（用文字或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于（）
考题
差动放大器中，用恒流源代替长尾Re是为了（）A、提高差模电压增益B、提高共模输入电压范围C、提高共模抑制比
考题
差分放大器中用电流源代替Ree是为了（）A、提高差模放大倍数B、提高共模放大倍数C、提高共模抑制比D、提高差模输入电阻
考题
理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为（）共模抑制比KCMR为（），差模输入电阻为（）。
考题
常用共模抑制比来衡量差动放大器抑制零点漂移的能力，共模抑制比定义为（）。
考题
衡量差动放大电路性能质量的指标是（）。A、差模放大倍数AdB、共模放大倍数ACC、共模抑制比KCMRRD、输出电压u0
考题
集成运放的主要技术指标有（）。A、开环差模电压增益B、输入失调电压C、共模抑制比D、差模抑制比
考题
单选题差模放大倍数与共模放大倍数的比值，反映了集成运放抑制共模信号的能力，称为（）A
输入电阻B
输出电阻C
共模抑制比D
开环差模电压增益