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与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）

  • A、噪声容限低
  • B、电源适用范围宽
  • C、功耗极低
  • D、扇出能力强

参考答案

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考题 相同逻辑功能的TTL电路和CMOS电路相比,前者功耗大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽
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考题 CMOS电路与TTL电路相比较，( )。A、前者抗干扰能力强B、后者抗干扰能力强C、二者工作速度相差很大D、二者工作速度很接近
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考题 CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大
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考题 对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制 B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长 C.CMOS电路具有锁定效应 D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 TTL电路的电源电压为5V，CMOS电路的电源电压为？
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考题 在逻辑功能上，CMOS门电路和TTL电路是相同的，当CMOS的电源电压UDD为（）时，它可与低功耗的TTL电路直接兼容。A、18VB、5VC、12VD、32V
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考题 CMOS电路与TTL电路相比，具备以下特点（）。A、输入电阻大B、功耗低C、电源电压范围宽D、以上都具备
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考题 从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。A、CMOS电路高得多B、CMOS电路低得多C、两者差不多D、不确定
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考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
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考题 与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
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考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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考题 下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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考题 CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。
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考题 与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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考题 与TTL电路相比，ECL门电路的特点是（）。A、高速B、功耗大C、电压摆幅较小D、以上都正确
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考题 反映CMOS门电路速度特性的参数有（）。A、扇出系数B、扇入系数C、平均延时时间D、功耗
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考题 试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？
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考题 如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）A、电平移动器B、缓冲器C、放大器D、比较器
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考题 与CMOS电路相比，TTL电路的能耗较大
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考题 与CMOS电路相比，TTL电路的能耗（）。
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考题 单选题不属于CMOS逻辑电路优点的提法是（）。A 输出高低电平理想B 电源适用范围宽C 抗干扰能力强D 电流驱动能力强
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考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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考题 多选题与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）A噪声容限低B电源适用范围宽C功耗极低D扇出能力强
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考题 多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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