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COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。

  • A、静态功耗低，电源电压范围宽
  • B、输入阻抗高，扇出能力强
  • C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大
  • D、温度稳定性好
  • E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大

参考答案

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考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
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考题 集成电路74LS系列表示（）。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路
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考题 按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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考题 目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和（）电路。A、CMOSB、CPUC、AMPD、AFC
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考题 采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的（）。
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考题 探伤仪中的同步电路是由计算机构成，采用COMS集成电路来完成。
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考题 数字集成电路从器件特性可分为TTL和MOS两大系列。（）
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考题 与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
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考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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考题 单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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考题 下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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考题 与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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考题 对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路
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考题 试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？
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考题 TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。
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考题 什么是COMS集成电路的扇出系数？简要说明它与工作频率的关系。
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考题 单选题集成电路74LS系列表示（）。A 高速肖特基TTL电路B 低功耗肖特基TTL电路C 低速肖特基TTL电路D 高低功耗肖特基TTL电路
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考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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考题 单选题目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和（）电路。A CMOSB CPUC AMPD AFC
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考题 填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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考题 填空题采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的（）。
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