考题
全控器件在开关频率较高时,使器件损耗增加的主要因素是()。
A.通态损耗B.断态损耗C.开关损耗
考题
当开关导通时,使电压先下降到零后,电流再缓慢上升到通态值,所以导通时不会产生损耗和噪声,这种方式称为( )。A、零电压开关B、零电流开关C、零电压关断D、零电流关断
考题
晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
考题
通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时,______而可能成为器件功率损耗的主要因素。
考题
电力电子器件主要用于高电压、大电流的装置中,为避免过大的功率损耗,电力电子器件稳态时通常工作在______与______两种工作状态。
考题
晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
考题
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
考题
MOS控制晶闸管（MCT）是新型电力电子器件，它具有（）特点。A、高电压B、大电流C、低通态压降D、开关速度快E、开关损耗小
考题
造成晶闸管误导通的主要原因有（）。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
考题
晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
考题
在电力电子器件中，在选用SCR时，通常希望通态平均电压（）；A、越小越好B、越大越好C、变化大D、大
考题
变频器是通过电力电子器件的通断作用将工频交流电流变换为（）可调的一种电能控制装置。A、电压B、电压频率均C、频率D、电流频率
考题
根据控制信号的不同性质，电力电子器件可分为（）。A、电阻型B、电感型C、电流型D、电压型
考题
MCT是一种新型电力电子器件，具有以下特点（）。A、通态压降小，约为1.1V，仅是IGBT通态压降的三分之一B、开关速度快C、工作温度高D、即使关断失败也不会损害器件
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
考题
控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。A、半控型器件B、全控型器件C、不可控器件D、自关断器件
考题
试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
考题
晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
考题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压
考题
单选题在电力电子器件中，在选用SCR时，通常希望通态平均电压（）；A
越小越好B
越大越好C
变化大D
大
考题
单选题变频器是通过电力电子器件的通断作用将工频交流电流变换为（）可调的一种电能控制装置。A
电压B
电压频率均C
频率D
电流频率
考题
单选题控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。A
半控型器件B
全控型器件C
不可控器件D
自关断器件
考题
单选题电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A
电压B
电流C
电阻D
电感
考题
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A
对B
错