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试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

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考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭
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考题 当开关导通时,使电压先下降到零后,电流再缓慢上升到通态值,所以导通时不会产生损耗和噪声,这种方式称为( )。A、零电压开关B、零电流开关C、零电压关断D、零电流关断
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考题 晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
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考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
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考题 晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
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考题 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
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考题 下面不属于超导态临界条件的是（）。A、临界温度；B、临界磁场；C、临界电流；D、临界磁导率。
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考题 由层流流态向紊流流态转换的临界流速称为下临界流速。
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考题 可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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考题 由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
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考题 雷电流在波前部分上升速度di/dt为雷电流陡度。
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考题 造成晶闸管误导通的主要原因有（）。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
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考题 晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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考题 双向晶闸管承受（）的能力较低。A、电压上升率B、电压下降率C、电流上升率D、电流下降率
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考题 晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV）  E、维持电流IH
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考题 紊流流态向层流流态转换的临界流速称为（）；层流流态向紊流流流态转换的临界流速称为（）。
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考题 为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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考题 当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（）。A、零电压开通B、零电流开通C、零电压关断D、零电流关断
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考题 晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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考题 在冷态负载电场升压调试时，当电流上升至额定值的（）时，由于电流极限的作用，电流、电压停止上升。A、30％B、50％C、60％D、80％
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考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通
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考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题 单选题双向晶闸管承受（）的能力较低。A 电压上升率B 电压下降率C 电流上升率D 电流下降率
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考题 单选题当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（）。A 零电压开通B 零电流开通C 零电压关断D 零电流关断
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考题 单选题下面不属于超导态临界条件的是（）。A 临界温度；B 临界磁场；C 临界电流；D 临界磁导率。
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考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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考题 问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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