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晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称为（）。

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考题 下列晶体中，以离子键为主的是( )。A、NaF晶体 B、碘晶体 C、SiO2晶体 D、TiO2晶体
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考题 晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称之为歪晶。
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考题 微观粒子的规则排列可以按不同方向发展，即各晶面以不同的速率生长，从而形成不同外形的晶体，这种习性以及最终形成的晶体外形称为（）A、晶习B、晶系C、晶界D、晶胞
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考题 根据晶体中质点以及质点之间相互作用力的不同，可以把晶体主要分为：离子晶体、金属晶体、原子晶体和分子晶体。
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考题 组成元素相同而结构不同的各金属晶体，就是同素异构体。
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考题 晶体可按晶格空间结构的区别分为（）A、不同的晶系B、原子晶体和离子晶体C、分子晶体和离子晶体D、金属晶体和非金属晶体
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考题 晶体在熔解过程中，由于温度不变，说明此时不再吸收热量。
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考题 由于地层泥岩中含有不同的无机盐晶体和无机盐水，致使井壁（）。A、稳定B、不稳定C、不影响D、都不对
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考题 由于多晶体是晶体，符合晶体的力学特征，所以它呈各向异性。
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考题 由于晶体缺陷使正常的晶格发生了扭曲，造成晶格畸变。晶格畸变使得金属能量上升，金属的强度、硬度和电阻减小。
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考题 实际晶体结晶后往往形成（），使得其性能呈现各向同性。A、单晶体；B、多晶体；C、非晶体；D、准晶体
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考题 晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其（），晶面的（），其生长速度小，晶面变大。也就是说晶体通常被面网密度的面网所包围，这个规律叫做（）
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考题 晶体膜电极的机制是由于（）引起离子的传导作用 。晶体膜电位的干扰只是由于晶体表面的（）而引起的。
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考题 结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 重结晶是利用杂质和结晶物质在不同溶剂和不同温度下的溶解度不同，将晶体用合适的溶剂再次结晶，以获得高纯度的晶体的操作。
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考题 （）由于含有完善程度不同的晶体，没有精确的熔点，而存在熔限。
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考题 在同一晶体的各个不同部位其内部质点分布是一样的所以晶体的任何部位都具有（）。
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考题 晶体管放大器受外界影响因素指（）等，其中以（）影响最大，所以正常放大电路都加有一定的稳定工作点措施。
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考题 相变、合金化、晶体结构的不同以及晶体缺陷都会影响材料的热膨胀特性。
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考题 填空题晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做（）漂移。
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考题 单选题由许多位向不同的单晶体组成的晶体叫做（）。A 单晶体B 晶粒C 多晶体D 非晶体
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考题 问答题什么是消光距离？影响晶体消光距离的主要物性参数和外界条件是什么？
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考题 单选题实际晶体结晶后往往形成（），使得其性能呈现各向同性。A 单晶体；B 多晶体；C 非晶体；D 准晶体
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考题 单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A 不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B 只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C 不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D 不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 填空题晶体膜电极的机制是由于（）引起离子的传导作用 。晶体膜电位的干扰只是由于晶体表面的（）而引起的。
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考题 填空题晶体在生长过程中，晶面的生长速度与其（），晶面的（），其生长速度小，晶面变大。也就是说晶体通常被面网密度的面网所包围，这个规律叫做（）
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考题 单选题电子在晶体中的共有化运动是指（）。A 电子在晶体中各处出现的几率相同B 电子在晶体原胞中各点出现的几率相同C 电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同D 电子在晶体各原胞对应点的相位相同
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