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单选题
当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。
A

P区;

B

N区;

C

结区;

D

中间区。


参考答案

参考解析
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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

考题 晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正,N区为负B、N区为正,P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正

考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

考题 半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为()半导体。A、N型B、P型C、PN型D、NP型

考题 关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 PN结加正向电压是指(),当PN所承受正向电压大于起始电压时,PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子

考题 当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

考题 在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域,它()。A、有自由电子,没有空穴B、没有自由电子,有空穴C、有自由电子,有空穴D、没有自由电子,没有空穴

考题 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结

考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是()A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C 平衡载流子破坏原来的热平衡;D 非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

考题 单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A 无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B P型半导体中只有空穴导电C N型半导体中只有自由电子参与导电D 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 单选题PN结光生伏特效应()。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面

考题 问答题为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区?这与电子、空穴的迁移率有关吗?

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

考题 判断题未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。A 对B 错

考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴