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在烘炉过程中,硅砖最大膨胀量发生在()℃之间。

  • A、50-100℃
  • B、100-300℃
  • C、300-500℃

参考答案

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考题 焦炉在烘炉升温过程中,180~270℃为膨胀控制点,是由于()晶型在发生转化,造成硅砖膨胀率增大。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃

考题 烘炉过程中,最大日膨胀率以()为宜A.0.025~0.03B.0.03~0.035C.0.035~0.04D.0.04~0.045

考题 烘炉计划是以()为依据,确定烘炉天数A.烘炉用的燃料;B.公司领导的批示;C.硅砖的膨胀率;D.天气情况;

考题 CompactVDI建议的市场规模是() A、100桌面以下B、100-300桌面C、300-500桌面D、500桌面以上

考题 烘炉的关键是控制炉体的膨胀量,全炉每天线膨胀量在 ( )。A.0.01-0.03%B.0.03-0.05%C.0.05-0.07%D.0.07-0.09%

考题 儿童血PLT正常值为A.(100-300)X109/LB.(50-100)X109/LC.(100-200)×109/LSX 儿童血PLT正常值为A.(100-300)X109/LB.(50-100)X109/LC.(100-200)×109/LD.(200--300)X109/LE.(150~300)X109/L

考题 血小板计数正常参考范围是A.(10-50)×10/L B.(50-100)×10/L C.(100-300)×10/L D.(300-500)×10/L E.(500-700)×10/L

考题 在烘炉过程中,硅砖的最大膨胀率发生在100-300℃之间。

考题 硅砖在100-300℃时膨胀最大。

考题 锅炉初次启动烘炉时应先采用()烘炉。A、小火B、1/3最大火量C、2/3最大火量D、大火

考题 紫菜叶状体生长的补偿光照为()A、100-300 luxB、300-500 luxC、500-700 luxD、700-900 lux

考题 聚丙稀酰胺分子量范围为()。A、30-50万B、300-500万C、100-300万D、500-700万

考题 煅烧炉烘炉的关键是控制炉体的膨胀量。

考题 硅砖在使用过程中常发生()。A、重烧膨胀B、残存膨胀C、重烧收缩D、残存收缩E、裂缝或坍塌

考题 硅砖热风炉烘炉初期,其拱顶温度波动应控制在()A、±2℃B、±5℃C、-2-+5℃

考题 控制好()温度,不使其上升过快,是硅砖热风炉烘炉的关键。

考题 用硅砖砌筑的炉窑在加热烧烤过程中,应缓慢升温,以免因膨胀过激而使砌体破坏.

考题 根据有关规定,注册资本为()的外商投资企业,投资者分期出资的总期限为1年半。A、50-100万人民币B、50-100万美元C、100-300万美元D、100-300万人民币

考题 二次搬运费根据实际路径距离计取,分为100-300米、300-500米、500-1000米、1000米以上4个等级,100米以内不计取。

考题 在烘炉过程中,硅砖体积随着温度的升高而()。A、增大B、不变C、减小D、先增大后减小

考题 砌焦炉用硅砖在烘炉过程中,硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点,其中()的温度范围内体积变化最大。A、117℃B、163℃C、180~270℃D、573℃

考题 硅砖在100~300℃时膨胀最大。

考题 判断题硅砖在100~300℃时膨胀最大。A 对B 错

考题 判断题用硅砖砌筑的炉窑在加热烧烤过程中,应缓慢升温,以免因膨胀过激而使砌体破坏.A 对B 错

考题 判断题硅砖在100-300℃时膨胀最大。A 对B 错

考题 判断题在烘炉过程中,硅砖的最大膨胀率发生在100-300℃之间。A 对B 错

考题 单选题砌焦炉用硅砖在烘炉过程中,硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点,其中()的温度范围内体积变化最大。A 117℃B 163℃C 180~270℃D 573℃