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使用漏极开路门时需要外接()


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考题 使用OC门时:() A、可以实现线与B、使用时要外接电源和电阻C、不需要外接电源

考题 晶闸管的三个引出电极分别是()。 A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极

考题 以下电路中常用于总线应用的有()。A.TSL门B.OC门C.漏极开路门D.CMOS与非门

考题 以下电路中常用于总线应用的有()。A、OC门B、TSL门C、漏极开路门D、CMOS与非门

考题 CMOS门的输出结构和TTL的类似,可以分成标准的、漏极开路及3态输出三种。()

考题 以下电路中可以实现“线与”功能的有哪些(). A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门

考题 接入到ZXM10 IDCTR门禁控制器的外接门磁,在设置门磁类型时应设置为()A、高电平有效B、低电平有效C、断路有效D、开路有效

考题 IGBT触发控制极是()A、漏极DB、源极SC、门极GD、基极B

考题 CMOS漏极开路门的特点有()。A、输出MOS管的漏极是开路的B、可以实现线与功能C、可以用来实现逻辑电平转换D、带负载能力强

考题 普通晶闸管边上P层的引出极是()A、漏极B、阴极C、门极D、阳极

考题 施工过程中需要接外接电源时为防止触电必须使用什么设备?

考题 电路中可以实现“线与”功能的有()A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门

考题 集电极开路门的英文缩写为()门,工作时必须外加()和()。

考题 CMOSOD门(漏极开路门)的输出端可以直接相连,实现线与。

考题 以下电路中可以实现“线与”功能的有()。A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门

考题 以下电路中不能用于总线应用的有()。A、TSL门B、OC门C、漏极开路门D、CMOS与非门

考题 晶闸管的3个引出电极分别是()A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极

考题 可控硅的门极触发电流是从()极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极

考题 三极管基极开路时在集射极之间的最大允许电压,称为()。

考题 在电子器件参数中,晶体三极管的穿透电流是指()。A、发射极开路时,基极电流的大小B、发射极开路时,集电极电流的大小C、基极开路时,发射极电流的大小D、基极开路时,集电极电流的大小

考题 远端机如需要同时外接天线和漏缆,接入设备时需要用()将它们连接起来再进入远端机A、耦合器B、功分器C、避雷器D、终端负载

考题 TTL门电路工作结构中的OC门指()开路。A、发射极B、集电极C、基级D、其它皆错

考题 多选题以下电路中可以实现“线与”功能的有()。A与非门B三态输出门C集电极开路门D漏极开路门

考题 单选题晶闸管的3个引出电极分别是()A 阳极、阴极、栅极B 阳极、阴极、门极C 栅极、漏极、源极D 发射极、基极、集电极

考题 多选题以下电路中不能用于总线应用的有()。ATSL门BOC门C漏极开路门DCMOS与非门

考题 多选题CMOS漏极开路门的特点有()。A输出MOS管的漏极是开路的B可以实现线与功能C可以用来实现逻辑电平转换D带负载能力强

考题 单选题IGBT触发控制极是()A 漏极DB 源极SC 门极GD 基极B