考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
晶闸管的三个引出电极分别是()。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
考题
单结晶体管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
考题
可关断晶闸管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
考题
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。
A、基极B、源极C、发射极D、阻板
考题
双稳态触发器是()耦合双稳态电路。
A、集—发射极B、集—基极C、基—发射极D、基极—基极
考题
场效应管三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.第一基极，发射极，第二基极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
晶闸管有三个极，即（）。A基极、发射极、集电极B阳极、阴极、集电极C阳极、阴极、门极D基极、发射极、门极
考题
温度升高，则晶闸管的（）A、门极触发电压增大B、门极触发电流增大C、门极触发电压降低D、门极触发电流降低
考题
场效应管放大电路以（）之间的信号作为输入信号。A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
考题
三极管的三个极是（）。A、同相输入极、反相输入极、输出极B、发射极、基极、集电极C、阳极、阴极、控制极D、栅极、漏极、源极
考题
三极管的三个电极是（）A、基极、发射极、集电极B、基极、阳极、阴极C、门极、阳极、阴极D、门极、发射极、集电极
考题
场效应管的电极为（）。A、基极bB、发射极eC、集电极cD、源极sE、栅极gF、漏极d
考题
晶闸管具有三个电极，它们是（）。A、阳极、阴极和门极B、基极、集电极和发射极C、阳极、阴极和基极D、门极、集电极和发射极
考题
晶闸管的三个电极是（）。A、基极、发射极、集电极B、基极、阳极、阴极C、门极、阳极、阴极D、门极、发射极、集电极
考题
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
考题
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
考题
晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
考题
可控硅的门极触发电流是从（）极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极
考题
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。A、射极、基极和集电极B、基极、射极和集电极C、集电极、基极和射极
考题
单选题晶闸管有三个极，即（）。A
基极、发射极、集电极B
阳极、阴极、集电极C
阳极、阴极、门极D
基极、发射极、门极
考题
单选题晶闸管的三个电极是（）。A
基极、发射极、集电极B
基极、阳极、阴极C
门极、阳极、阴极D
门极、发射极、集电极
考题
单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、栅极B
阳极、阴极、门极C
栅极、漏极、源极D
发射极、基极、集电极
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
单选题IGBT触发控制极是（）A
漏极DB
源极SC
门极GD
基极B
考题
单选题三极管的三个电极是（）A
基极、发射极、集电极B
基极、阳极、阴极C
门极、阳极、阴极D
门极、发射极、集电极