考题
差分放大电路的长尾电阻的主要功能是(),而提高共模抑制比。A、抑制共模信号B、抑制差模信号C、放大共模信号D、既抑制共模信号又抑制差模信号
考题
10G系统测试中要求边模抑制比要高于()
A.20dBB.25dBC.30dBD.35dB
考题
DVM的抗干扰能力一般可用串模干扰抑制比和共模干扰抑制比来表征。
考题
内孔翻边时，采用球形凸模比采用平底凸模对翻边变形（）A、有害B、有利C、无影响
考题
采用球形凸模和锥形凸模比圆柱形凸模翻孔时，所需的翻边力要小。
考题
集成运放的共模抑制比越大，抑制共模信号能力越强。（）
考题
衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是（）A、差模电压放大倍数B、差模抑制比C、共模电压放大倍数D、共模抑制比
考题
下列各指标测试项目中不是OTU盘的测试指标的是：（）。A、-20db谱宽；B、边模抑制比；C、消光比；D、D.插入损耗
考题
下列各指标测试项目中不是OTU盘的测试指标的是：（）A、-20db谱宽B、边模抑制比C、消光比D、插入损耗
考题
衡量FONST3000系统传输质量好坏的质量有下列哪些指标（）。A、OSNRB、边模抑制比C、消光比D、功率大小
考题
波长转换器（OTU）的测试项目包括（）A、平均发送光功率B、接受灵敏度C、过载光功率D、边模抑制比E、中心波长及偏移F、抖动产生测试
考题
下面哪个指标不属于OTUT10G的测试指标？（）A、边模抑制比B、－20dB谱宽C、过载光功率D、插损
考题
光监控通道的光谱特性是指－20dB谱宽和边模抑制比。
考题
OUT单板需要测试的项目有：中心频率，（），（），（）和边模抑制比等。
考题
边模抑制比指的是全调制条件下OTU发射模块主纵模的（）与（）之比
考题
10G系统测试中要求边模抑制比要高于（）A、20dBB、25dBC、30dBD、35dB
考题
DWDM系统测试时，指标SNMR的中文指（），其含义是指在最坏反射条件时，全调制条件下主纵模的平均光功率与（）的光功率之比。OTU边模抑制比（）。
考题
集成运放的主要技术指标有（）。A、开环差模电压增益B、输入失调电压C、共模抑制比D、差模抑制比
考题
单选题关于脑电图前置放大器，不正确的是（ ）。A
有差分放大功能B
有共模抑制功能C
模抑制比越小越好D
模抑制比越大越好E
有两个输入端
考题
单选题最小边模抑制比是指在最坏的发射条件时，全调制下主纵模的平均光功率与最显著边模的光功率之比，其测试主要仪表为( )。A
多波长计B
传输分析仪C
光谱分析仪D
光功率计
考题
多选题叠合板模具的边模可分为固定式边模和（）。A钢板边模B橡胶边摸C通长边模D角钢边模E槽钢边模
考题
多选题叠合板模具的边模可分为（）。A固定式边模B橡胶边摸C通长边模D角钢边模E槽钢边模