考题
稳压二极管是利用PN结的( )。
A 单向导电性B. 反偏截止特性C反向击穿特性
考题
PN结的主要特性是()。A.单向导电性、电容效应B.电容效应、击穿特性C.单向导电性、击穿特性D.单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
半导体PN结的主要物理特性是（）。A放大特性B单向导电性C变压特性D逆变特性
考题
PN结具有（）单向导电性特性，即（）导通，（）截止。A、选择，低压，高压B、选择，高压，低压C、单向，反向，正向D、单向，正向，反向
考题
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
整流所用的半导体器件特性是（）。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性
考题
P型半导体，N型半导体，PN结都具有单向导电性。
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结的导电特性是（）。A、单向导电B、反向导电C、双向导电D、PN结导电
考题
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A、具有放大特性B、具有改变电压特性C、具有单向导电性D、具有增强内电场性
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
稳压二极管是利用PN结的（）。A、单向导电性B、反向击穿性C、电容特性
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、反向截止特性C、反向击穿特性
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性
考题
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有单向导电性，其中（）极接正，而（）极接负的电压称为反向电压，此时PN结截止。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A
具有单向导电性B
具有放大性C
具有改变电压特性D
以上都不对
考题
单选题稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。A
反向击穿特性B
正向导通性C
反向截止性D
单向导电性
考题
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
单选题关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A
具有放大特性B
具有改变电压特性C
具有单向导电性D
具有增强内电场性