考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。
A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
N沟道场效应管由N型半导体组成()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
考题
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
考题
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
考题
结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
考题
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
考题
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
考题
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
电力场效应管MOSEFT是（）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
考题
单选题结型场效应管可分为（）。A
MOS管和MNS管B
N沟道和P沟道C
增强型和耗尽型D
NPN型和PNP型
考题
单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
考题
填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
考题
单选题D沟道型场效应管中的载流子是（）A
自由电子B
空穴C
电子和空穴D
带电离子
考题
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。