考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。
A.1B.3C.5D.7
考题
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
考题
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
考题
P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
考题
在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7
考题
要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素
考题
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
考题
本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
考题
在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
考题
在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。
考题
若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
考题
单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A
二价元素B
三价元素C
四价元素D
五价元素
考题
单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。A
1B
3C
5D
7
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。