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本征硅中掺入5价元素的原子,则多数载流子是(),掺杂越多,则其数量越();相反少数载流子是(),掺杂越多,则其数量越()。


参考答案

更多 “本征硅中掺入5价元素的原子,则多数载流子是(),掺杂越多,则其数量越();相反少数载流子是(),掺杂越多,则其数量越()。” 相关考题
考题 N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。 A.1B.3C.5D.7

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

考题 P型半导体是本征硅(Si)内掺入微量的五价元素磷(P)制成的。

考题 本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 若在四价元素半导体中掺入五价元素原子,则可构成()型半导体,参与导电的多数载流子是()。

考题 根据扩散原理,将三价(硼)或五价(磷)杂质原子掺入到硅半导体材料中()A、 温度越高,掺杂越快B、 温度越低,掺杂越快C、 温度恒定,掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关

考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

考题 在本征硅(或锗)中掺入微量的()价元素,便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二

考题 在本征半导体中掺入()构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

考题 在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7

考题 要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素

考题 本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越(),相反,少数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越()。

考题 本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是(),少数载流子应是()。

考题 N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

考题 本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是(),少数载流子应是()。

考题 在硅或锗本征半导体中掺入微量()就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素

考题 在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。

考题 若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子,则可构成()型半导体,参与导电的多数载流子是()。

考题 单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量()就可得到P型半导体。A 二价元素B 三价元素C 四价元素D 五价元素

考题 单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。A 1B 3C 5D 7

考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 单选题根据扩散原理,将三价(硼)或五价(磷)杂质原子掺入到硅半导体材料中()A  温度越高,掺杂越快B  温度越低,掺杂越快C  温度恒定,掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关

考题 填空题在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。