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对于耗尽MOS管，VGS可以为（）。

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考题 vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
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考题 耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
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考题 MOS场效应管有增强型与耗尽型。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是()。 A.MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B.MOS得分为4，表示中等程度的注意力C.MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D.MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。
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考题 结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
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考题 对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 MOS管
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越（）
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考题 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。
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考题 下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是（）。A、MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B、MOS得分为4，表示中等程度的注意力C、MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D、MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。
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考题 衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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考题 耗尽型MOS管工作在放大状态时，其栅压可正可负。
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考题 UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。
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考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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考题 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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考题 P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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考题 填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。
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