考题
载流线圈能产生磁场,而它的()与载流导体通过电流的大小成()关系。
考题
流体的密度与温度和压力有关，其中气体的密度随温度升高而减小，随压力的增大而（）。A、减小B、不变C、增大
考题
霍尔效应是指（）作用于载流金属导体、半导体中的载流子时产生横向电位差的物理现象A、场强B、电磁C、磁感应D、磁场
考题
导体的电阻不是客观存在的，它随导体两端电压大小而变化
考题
任何载流导体的周围都会产生磁场，其磁场强弱与（）。A、通过导体的电流大小有关B、导体的粗细有关C、导体的材料性质有关D、导体的空间位置有关
考题
任何载流导体的周围都会产生磁场，其磁场强弱与（）。A、通过导体的电流大小有关B、导体的粗细有关C、导体的材料性质有关
考题
霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使（）变化，产生温度误差。A、输出电流B、输出电压C、霍尔电势D、霍尔电位
考题
流体的密度与温度和压力有关。其中气体的密度随（）的升高而减小，随（）的增大而增大。
考题
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
考题
流体的密度与（）升高和（）有关，其中气体的密度随（）升高而减小，随（）的增大而增大。液体的密度则主要随（）升高而减小，而与（）的关系不大。
考题
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
考题
霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。A、横向电位差B、纵向电位差C、横向电流D、纵向电流
考题
掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
考题
电压与电位的区别在于（）。A、电位的大小随参考点不同而不同B、电压的大小不随参考点的变化而变化C、二者单位不同D、电位是电场力推动电荷作功，电压是电源力推动电荷所作的功
考题
半导体应变片的灵敏度随半导体尺寸的不同而不同。
考题
流体的密度与（）和（）有关。其中气体的密度随（）的升高而减小，随（）的增大而增大；液体的密度则主要随（）的升高而减小，而与（）的增大关系不大。
考题
漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
考题
半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同A、半导体材料；B、杂质浓度；C、载荷的大小；D、半导体尺寸
考题
载流导体的发热量与（）有关。A、通过电流的大小B、电流通过时间的长短C、载流导体的电压等级D、导体电阻的大小
考题
载流导体的发热与（）有关。A、电流的大小；B、作用时间的长短；C、电压的高低。
考题
流体的密度与（）和（）有关，其中气体的密度随（）的升高而减少，随（）的增大而增大；液体的密度则主要随（）升高而减少，而与（）关系不大。
考题
填空题漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
考题
判断题流体内任意一点的压强随流体的淹深h不同而变化，且与液体的重度有关。A
对B
错
考题
单选题不同种类的流体的密度数值不同，同一种流体的密度数值随其（）的变化而变化A
温度B
压力C
体积D
温度和压力
