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PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

  • A、可以调换使用
  • B、不可以调换使用
  • C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

参考答案

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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
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考题 3DG6三极管的制作材料、类型是()。 A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管
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考题 3AX81三极管的制作材料、类型分别是（）A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
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考题 3DG型三极管的制作材料、类型是（）。A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
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考题 晶体三极管根据内部结构不同分为（）。A、PNP型和NPN型B、PNN型和NPP型C、NPP型和PNP型D、NPN型和NPP型
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型？
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考题 在本质半导体加入三价的硼，则成为（）。A、N型B、P型C、NPN型D、PNP型
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考题 3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
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考题 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用，为什么？
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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考题 NPN型与PNP型传感器的主要区别是：PNP输出端为（）电平，NPN输出端为（）电平。
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考题 那种PLC的输出形式，输出可以不考虑电源极性（）。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出
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考题 PNP型和NPN型两种结构的三极管在使用时，电源的极性相同。
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考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
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考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、PNP型的集电极C、NPN型的发射极D、PNP型的发射极
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考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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考题 晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。
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考题 单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A 硅PNP型B 硅NPN型C 锗PNP型D 锗NPN型
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