考题
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A、增大B、不变C、减小D、不确定
考题
型号为2AK二极管是()二极管。
A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）
考题
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。A、0.3B、0.7C、1
考题
2CZ54D是（）。A、N型硅整流二极管B、P型锗整流二极管C、N型硅整流稳压二极管D、P型锗整流开关二极管
考题
当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
考题
温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将（）
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、等于零
考题
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
考题
锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。
考题
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A
0.4VB
0.5VC
0.6VD
0.7V
考题
单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（）A
大B
小C
相等D
以上答案都不对
考题
判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A
对B
错
考题
单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A
10μAB
15μAC
20μAD
40μA