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半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。


参考答案

更多 “半导体中的扩散运动是由于载流子()而引起的。” 相关考题
考题 PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

考题 PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

考题 半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。

考题 P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

考题 半导体中的漂移运动是由于载流子()而引起的。

考题 半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

考题 PN结中载流子的漂移运动是由于()而产生的。

考题 半导体中的扩散运动是由于()而形成。

考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

考题 N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

考题 在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

考题 N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 半导体中的载流子有两种导电运动,一种称为()运动,另一种称为()运动。

考题 由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电。()

考题 N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

考题 填空题整流装置的内部过电压是半导体元件在换相过程中,由于载流子()而产生的过电压。