考题
在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
考题
电子为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。
考题
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。()
此题为判断题(对，错)。
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
考题
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
考题
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
考题
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
考题
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
考题
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
考题
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
考题
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
考题
单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A
温度B
杂质浓度C
电子空穴对数目D
都不是