考题
减小霍尔元件的输出不等电位电动势的办法是()。
A.使用电桥调零电位器B.减小磁感应强度C.减小激励电流
考题
霍尔电动势的方向决定于()的方向。
A.输入电流B.输入电流和磁感应强度C.磁感应强度D.输入电流或磁感应强度
考题
霍尔电压与产生此电压的电流和磁感应强度成反比。
考题
霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关；B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；D、与霍尔片的厚度成正比
考题
霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。
考题
霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.A、霍尔元件的材质B、元件的尺寸C、控制电流iD、元件所在磁场的磁感应强度E、电流i与磁场方向的夹角
考题
霍尔电压UH与控制电流I及磁感应强度B成反比。
考题
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向
考题
在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比
考题
霍尔电压UH与（）成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者
考题
霍尔元件产生的霍尔电动势极性与（）有关。A、磁场方向B、控制电流方向C、磁场方向和控制电流方向D、材料
考题
关于霍尔电势下列说法正确的是（）。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对
考题
霍尔效应中，霍尔电势与（）A、激磁电流成反比B、激磁电流平方成反比C、磁感应强度成正比D、磁感应强度成反比
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小（）A、与霍尔片的厚度d成正比B、与霍尔片上的工作电流Is的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比D、与霍尔材料的性质无关
考题
霍尔效应中，霍尔电势与（）A、激磁电流成反比B、工作电流成反比C、磁感应强度成正比D、试样厚度成正比
考题
霍尔灵敏度表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。
考题
当通过的电流为一定值时，霍尔电压与（）。A、磁感应强度成反比B、磁感应强度成正比C、与磁通成正比D、与磁通成反比
考题
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
考题
多选题霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.A霍尔元件的材质B元件的尺寸C控制电流iD元件所在磁场的磁感应强度E电流i与磁场方向的夹角
考题
判断题霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。A
对B
错
考题
多选题霍尔电压UH与（）成正比。A控制电流IB霍尔元件的面积SC磁感应强度BD以上三者
考题
多选题霍尔元件的输出电势Vh于下列（）成正比。A垂直于霍尔元件的磁感应强度B输入端电流C电流与磁场方向的夹角余弦D电流通过的时间E电流与磁场方向的夹角余切
考题
单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A
霍尔常数成正比B
霍尔常数成反比C
霍尔元件的厚度成正比