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霍尔传感器产生的霍尔电压大小,与()有关。

  • A、磁场方向
  • B、磁场的强弱
  • C、输入电压
  • D、磁场内导线的长度

参考答案

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考题 磁感应强度是表示磁场内某点的______强弱和方向的物理量。A.电场B.电压C.磁通D.磁场

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关;B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比;C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比;D、与霍尔片的厚度成正比

考题 霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().A、霍尔元件的材质B、元件的尺寸C、控制电流iD、元件所在磁场的磁感应强度E、电流i与磁场方向的夹角

考题 霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度,使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号,经放大整形而输出信号的。()

考题 霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度,从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔()信号,即为曲轴位置传感器的输出信号。A、光敏B、电阻C、电压

考题 霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

考题 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向

考题 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

考题 霍尔效应中,在试样上施加的电场、磁场以及感应出的电压之间的方向关系是()。

考题 在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比

考题 通电导体周围磁场的强弱与()有关。A、导体长度B、导体的截面C、电流的大小D、电压大小

考题 霍尔电压产生的条件是()。A、电流与磁场垂直B、电流与磁场平行C、电流与电压垂直

考题 霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体基片,且电流方向与磁场方向垂直上,电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移,在()电流与磁场的半导体基片的横向侧面上,将产生一个()。A、平行;电流B、垂直;电压C、平行;电压D、垂直;电流

考题 当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。

考题 霍尔元件产生的霍尔电动势极性与()有关。A、磁场方向B、控制电流方向C、磁场方向和控制电流方向D、材料

考题 霍尔电压与下列哪个因素有关()。A、材料性质B、元件尺寸C、控制电流D、磁场强度

考题 霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。

考题 利用霍尔效应可制成多种凸轮轴位置传感器和转速传感器等等,下列说法中正确的是()。A、需要用恒压源输入,霍尔晶体才能产生电压信号B、当磁力线消失时,才能产生霍尔电压C、霍尔效应由绕在永磁铁上的线圈通电才能产生电压信号D、当有电流输入并有磁力线穿过晶片时,才能产生霍尔电压

考题 霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

考题 霍尔传感器产生的霍尔“正”电压方向,由()来确定。A、左手定则B、右手定则C、导线运动方向D、磁力线

考题 霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。

考题 判断题当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。A 对B 错

考题 判断题霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度,使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号,经放大整形而输出信号的。()A 对B 错

考题 单选题产生霍尔电压的条件是()。A 电流与磁场垂直B 电流与磁场平行C 电流与电压垂直

考题 单选题磁感应强度是表示磁场内某点的()强弱和方向的物理量。A 电场B 电压C 磁通D 磁场

考题 单选题霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度,从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔()信号,即为曲轴位置传感器的输出信号。A 光敏B 电阻C 电压