驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()

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考题电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定

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考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

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考题从驱动方式来分，电力场效应晶体管（P-MOSFET）属于电流驱动型电力电子器件。

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题 30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题 3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

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考题从驱动方式来分，电力场效应晶体管（P-MOSFET）属于电压驱动型电力电子器件。

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考题 7、主板是计算机的核心，其驱动程序主要包括以下哪几个。（）A．芯片组驱动B．集成显卡驱动C．集成网卡驱动D．集成声卡驱动E．USB驱动

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

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