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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A．IGBT开关速度高于电力MOSFET

B．IGBT是电压驱动型器件

C．电力MOSFET存在二次击穿问题

D．IGBT具有擎住效应

参考答案和解析
IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件
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考题 简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
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考题 电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
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考题 电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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考题 填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
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考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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