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三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

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考题 三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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考题 关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积
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考题 1、BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低A．发射区B．基区C．集电区D．三者一样
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考题 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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考题 15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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考题 4、关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积
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