三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

题目内容（请给出正确答案）

三极管哪个区的掺杂浓度最高()

A、基区

B、发射区

C、集电区

D、不确定

参考答案

考题三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

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考题晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

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考题三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

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考题 NPN和PNP型三极管的区别取决于_______。A．半导体材料硅和锗的不同B．掺杂元素的不同C．掺杂浓度的不同D．P区和N区的位置不同

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考题【判断题】三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）A．Y.是B．N.否

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考题三极管区的掺杂浓度最高、区最薄、区面积最大。

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考题 9、三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

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考题【单选题】关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（B ）A．基区很薄B．基区掺杂浓度最高C．发射区掺杂浓度最高D．发射结的结面积小于集电结的结面积

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考题晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。A．集电区B．基区C．发射区D．视情况而定

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