半导体高低频管以3MHZ为界限。() 此题为判断题(对，错)。

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半导体高低频管以3MHZ为界限。()

此题为判断题(对，错)。

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考题半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对，错)。

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考题三极管按材料不同可分为硅管和锗管，按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管。（）

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考题 3、放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是（）。A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适

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考题 2、在放大电路中，低频段放大倍数降低是由于（) 的影响造成的。A．耦合电容和旁路电容B．半导体管极间电容和分布电容C．半导体管非线性特性D．静态工作点设置不合适

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考题 1、型号为“3AX81”的国产三极管的为（）A．PNP型锗材料低频小功率管B．NPN型锗材料低频小功率管C．PNP型硅材料低频小功率管D．NPN型硅材料低频小功率管

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考题 2、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适

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考题（）的工作频率是3 MHz～30 MHz。A．低频电子标签B．高频电子标签C．超高频电子标签D．微波电子标签

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考题放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是（）。A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适

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考题在放大电路中，低频段放大倍数降低是由于（) 的影响造成的。A．耦合电容和旁路电容B．半导体管极间电容和分布电容C．半导体管非线性特性D．静态工作点设置不合适

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