晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.发射结反向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结反向偏置

题目内容（请给出正确答案）

晶体管处于放大状态的条件为()。

A.发射结正向偏置，集电结正向偏置

B.发射结正向偏置，集电结反向偏置

C.发射结反向偏置，集电结正向偏置

D.发射结反向偏置，集电结反向偏置

参考答案

考题当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

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考题当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

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考题晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。

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考题晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β= 50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（）。

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考题在上题所示的放大电路中，晶体管处于放大状态和饱和状态时，各极电位的关系？

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考题处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）

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考题发射结处于正向偏置的晶体管，一定是工作放大状态。（）

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考题 7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）

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考题 NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB＞UBE（on)，且UCEQ＞UBE（on) 。

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考题 2、NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB＞UBE（on)，且UCEQ＞UBE（on) 。

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